Spoznajte generálneho riaditeľa

Generálny riaditeľ a predseda spoločnosti Samsung Electronics

 
This image is Samsung Electronics' vice chairman. Kwon, Oh Hyun profile picture.

Dr. Oh-Hyun Kwon

Výkonný riaditeľ a predseda predstavenstva
Predseda predstavenstva Samsung Advanced Institute of Technology

Predstavenstvo spoločnosti Samsung Electronics Co. oficiálne menovalo doktora Oh-Hyun Kwona na pozíciu výkonného riaditeľa 8. júna 2012.
Od svojho nástupu do divízie Semiconductor Business spoločnosti Samsung Electronics v roku 1985 hral doktor Kwon kľúčovú úlohu pri rýchlom napredovaní spoločnosti Samsung Electronics v polovodičovom priemysle. V roku 1992 úspešne viedol vývoj prvého 64 MB modulu DRAM a o tri roky neskôr bol povýšený na viceprezidenta divízie Memory Device Technology spoločnosti Samsung. V roku 1998 bol doktor Kwon menovaný starším viceprezidentom a riaditeľom výroby obvodov ASIC v divízii System LSI. V roku 2000 sa stal výkonným viceprezidentom a riaditeľom divízie LSI Technology. V januári 2004 bol doktor Kwon menovaný prezidentom a generálnym riaditeľom divízie System LSI. Počas 10 rokov svojho pôsobenia v divízii System LSI získal doktor Kwon mimoriadne uznanie za dosiahnutie najvyšších podielov na trhu integrovaných obvodov pre ovládače zobrazovacích zariadení, aplikačných procesorov a obrazových snímačov CMOS. V máji 2008 bol doktor Kwon menovaný prezidentom divízie Semiconductor Business (teraz divízia Device Solutions). V decembri 2011 bol povýšený na podpredsedu predstavenstva spoločnosti Samsung Electronics.
Doktor Kwon publikoval množstvo materiálov na konferenciách a sympóziách vrátane konferencie ISSCC, sympózia VLSI a konferencie IEDM. Svojimi odbornými znalosťami prispel aj do viacerých technických periodík zameraných na polovodiče.
Doktor Kwon je držiteľom bakalárskeho titulu v oblasti elektrického inžinierstva z Národnej univerzity v Soule, držiteľom inžinierskeho titulu v oblasti elektrického inžinierstva z inštitútu KAIST (Korea Advanced Institute of Science and Technology) a držiteľom doktorátu v oblasti elektrického inžinierstva zo Stanfordovej univerzity.