裝置解決方案

可能性

為確保您的 IT 解決方案順利執行,三星確保全系列電子裝置的內部運作,都能提供最大效能、可靠性及使用壽命

裝置解決方案業務圖示

透過卓越的技術和有效地節約成本,三星電子擴大了記憶體領域的領導地位,迎來令人鼓舞的發展前景。
三星在提高利潤、開拓獨特產品(主要為流動裝置)和加快轉型過的同時,也專注研發新一代產品。
由於AP和CIS傳感器需求不斷增長,我們的System LSI業務也呈現出強勁增長和成本領先優勢,這些都有助於於三星更加迅速地推出新一代產品

記憶體業務

利用世界上最高性能的環保記憶體,創造一個更方便快捷的世界
 

自 1993 年起,三星在全球記憶體半導體市場上,就一直保有領先地位,同時推動全球 IT 市場成長並獲得無與倫比的競爭優勢。在 2016 年,我們甚至更進一步推出許多業界第一的產品,突破記憶體半導體科技的極限:10nm 級 16GB LPDDR4 DRAM 晶片實現高階智慧型手機和平板的 8GB 行動 DRAM 封裝。而且採用 48 層 256GB V-NAND 科技打造的 15.36TB SAS SSD 可為領先的企業客戶提供業界最大的儲存容量。此外,我們也將採用尖端 DRAM 與 NAND 快閃記憶體的基礎解決方案帶入市場,加速先進記憶體部門的成長。在這之中,8GB HBM2 DRAM 與 8GB LPDDR4/4X 行動 DRAM 提供極為出色的高速與頻寬,這些是次世代顯卡和行動應用程式所不可或缺。在 NAND 快閃記憶體部門,消費型 SSD 如 2TB 960 PRO (M.2 NVMe SSD) 和 2TB T3(攜帶型 SSD)有助於市場邁向更高密度的消費者儲存解決方案。512GB BGA NVMe SSD 將所有必要的 SSD 元件整合在單一封裝內,因此可在設計運算裝置時獲得最大的彈性。在 2017 年,我們積極且主動回應更廣大的市場需求,從行動、PC、企業及雲端服務到擴增實境 (AR)、虛擬實境 (VR) 及汽車應用。為達成此目的,我們計畫引進更廣大的先進記憶體產品線,提供前所未有的效能與容量等級,包括適用於消費者與企業應用、超小型 eUFS 及高速 Z-SSD 的最新 64 層 V-NAND SSD。我們也將繼續推進適用於 DRAM 解決方案與次世代 V-NAND 技術的 10nm 製程科技,以保持我們的領先地位,並為全球記憶體市場成長有所貢獻

System LSI 業務

擁有具競爭力的研發工作,
以及先進尖端的工藝技術,
引領電子裝置不斷創新發展
 

三星的System LSI 業務專注於開發次世代產品,以強化我們在無晶圓廠部門的科技競爭優勢,並鞏固我們在全球市場的地位。在 2016 年,系System LSI 業務推出採用 14 奈米 (nm) FinFET 製程技術地完整行動系統單晶片 (SoC) 產品線,包括適用於頂級行動裝置的 Exynos 8 Octa、Exynos 7 Quad、整合適用於入門級裝置之完整連接能力的解決方案,到 Exynos 7 Dual (業界第一個採用 14nm 技術,適用於穿戴式裝置的 SoC)。本公司也推出 Dual-Pixel 影像感應器,能夠在行動平台上提供 DSLR 相機級的相位自動對焦功能,為裝置使公快速拍照與優質畫質,即便是在低光源環境下。在 2017 年,我們的System LSI 業務以其採用 10nm FinFET 製程技術的最新 Exynos 9 處理器,開發出如次世代智慧型手機、VT 及 AR 裝置的創新產品。除了本身的旗艦事業領域之外,System LSI 業務未來數年的首要任務將是在多元部門中累積更堅強的核心設計能力 – 5G 數據機、次世代影像感應器及功率管理 IC (PMIC)

晶圓代工業務

提供全面的晶圓代工解決方案,從先進製程技術到經過實證的 IP 與設計生態系統

 

在 2016 年 1 月,三星的晶圓代工事業成功大量生產第二代 14 奈米 (nm) FinFET 行動 SoC(系統單晶片),繼續展現其一貫的技術領導地位。晶圓代工事業也開始在 2016 年 10 月大量生產業界第一個採用 10nm FinFET 製程技術的行動 SoC。我們藉由此類高超的技術工藝,擴大與領先的全球客戶進行策略性的晶圓代工合作,並提供成為眾多先進行動裝置與物聯網產品內部核心的次世代行動 SoC。三星的晶圓代工事業自 2005 年創立起,已為客戶提供最佳的產品與服務。在 2017 年 5 月,晶圓代工事業單位自系統 LSI 事業分割出去,旨在強化其業務專業知識,並加速其在市場上的成長。晶圓代工事業計畫在 2017 年結束之前開始大量生產第二代 10nm FinFET 製程,並擴大其 10nm 產能,以因應不斷升高的需求。而且,此事業將繼續適時開發尖端科技,包括 8nm 以後的次世代設計節點和 18nm FD-SOI(全空乏絕緣上覆矽),以期更符合客戶對於邏輯解決方案的需求