/

SSD 850 EVO SATA III 2.5 inch 120 GB (Starter kit)

MZ-75E120

SSD 850 EVO SATA III 2.5 inch 120 GB (Starter kit)
  • Спрян от производство

Отговорно рециклиране на батериите

  • Европейската директива относно батериите и акумулаторите цели да сведе до минимум ефекта на батериите върху околната среда и да окуражи рециклирането на материалите, които съдържат. Във Великобритания, разпоредбите за рециклиране на батерии и акумулатори (акумулаторни батерии) бяха въведени през 2009 г. Разпоредбите за отпадъците от батериите целят значително да увеличат събирането и рециклирането на използваните преносими батерии във Великобритания от 3% през 2007 г. до 25% през 2012 г. до най-малко 45% през 2016 г.

  • Символът на батерията върху даден продукт или опаковката му показва, че продуктът не може да се изхвърля заедно с домакинските отпадъци. Освен това, отговорност на клиента е да изхвърля своите използвани батерии в пунктовете за събиране на отпадъци, за да могат да бъдат рециклирани. Разделното събиране и рециклиране на батерии при изхвърлянето им ще помогне за опазване на природните ресурси и ще гарантира, че те се рециклират по начин, защитаващ човешкото здраве и околната среда. Пълен списък с центрове за рециклиране на батерии можете да видите на адрес: www.recycle-more.co.uk

  • Всички продукти на Samsung, които попадат в рамките на Директивата за батериите, отговарят на изискванията за батерии и акумулатори във Великобритания. В съответствие със законите на страната, SAMSUNG Electronics (UK) Ltd участва в одобрен план за съвместимост за производители на батерии. С този план батериите се събират, третират и изхвърлят от името на Samsung.

SSD 850 EVO SATA III 2.5 inch 120 GB (Starter kit)

Характеристики

  • Какво представлява 3D V-NAND и как се различава от съществуващите технологии?
  • Оптимизирайте ежедневната си работа с компютър с помощта на технологията TurboWrite за ненадминати скорости на четене / запис
  • Минете в бързата лента с подобрения режим RAPID
  • Гарантирана издръжливост и надеждност, подобрени от технологията 3D V-NAND
Какво представлява 3D V-NAND и как се различава от съществуващите технологии?
Уникалната и иновативна архитектура за флаш памет 3D V-NAND по революционен начин преодолява ограниченията за плътност, производителност и издръжливост на съвременната конвенционална равнинна NAND архитектура. 3D V-NAND се произвежда чрез подреждане на 32 слоя клетки вертикално един върху друг, вместо да се увеличават размерите на клетките и да се опитва да се съберат на фиксирано хоризонтално пространство, което води до по-висока плътност и по-добра производителност при по-малка използвана площ.
Какво представлява 3D V-NAND и как се различава от съществуващите технологии?
Оптимизирайте ежедневната си работа с компютър с помощта на технологията TurboWrite за ненадминати скорости на четене / запис
Постигнете максимална производителност при четене / запис с технологията TurboWrite на Samsung за максимално добра всекидневна работа с компютър. Вие не само получавате над 10% по-добър потребителски опит, отколкото при 840 EVO*, но и до 1,9 пъти по-бързи скорости на произволен запис за моделите с капацитет 120 / 250 ГБ**. Моделът 850 EVO предоставя най-добрата в класа си производителност със скорост на последователно четене (540 MБ/сек) и запис (520 MБ/сек). Освен това постигате оптимизирана произволна производителност във всички дълбочини на опашката (QD) за сценарий на използване на клиентски компютър. * PCmark7 (250 ГБ): 6.700 (840 EVO) < 7.600 (850 EVO) ** Произволен запис (QD 32,120 ГБ): 36.000 IOPS (840 EVO) >88.000 IOPS (850 EVO)
Оптимизирайте ежедневната си работа с компютър с помощта на технологията TurboWrite за ненадминати скорости на четене / запис
Минете в бързата лента с подобрения режим RAPID
Софтуерът Magician на Samsung, който предоставя режима Rapid за 2 пъти по-големи скорости за обработка на данни* на системно ниво чрез използване на неизползвана компютърна памет (DRAM) като кеш памет за съхранение. Най-новият Magician увеличава максималната употреба на паметта в режим Rapid от 1 ГБ при предишната версия на 840 EVO до 4 ГБ при 850 EVO, когато е включена DRAM памет с капацитет 16 ГБ. Освен това получавате двукратно подобрение на производителността* в цялата произволна дълбочина на опашката. * PCMARK7 RAW (250 ГБ): 7.500 > 15.000 (режим Rapid), подобрението на производителността може да варира според системния хардуер и конфигурацията.
Минете в бързата лента с подобрения режим RAPID
Гарантирана издръжливост и надеждност, подобрени от технологията 3D V-NAND
850 EVO осигурява гарантирана издръжливост и надеждност, като удвоява TBW*, в сравнение с предишното поколение 840 EVO**, подкрепен от водещата в индустрията 5-годишна гаранция. Чрез сведените до минимум спадове на производителността 850 EVO позволява устойчиви подобрения на производителността до 30% в сравнение с 840 EVO, доказвайки се като едно от най-надеждните устройства за съхранение***. * TBW: Общ брой записани байтове ** TBW: 43 (840 EVO) < 75 (850 EVO 120 / 250 ГБ), 150 (850 EVO 500 ГБ / 1 TБ) ** Устойчива производителност (250 ГБ): 3.300 IOPS (840 EVO) < 6.500 IOPS (850 EVO), производителността е измерена след 12-часов тест за „произволен запис“
Гарантирана издръжливост и надеждност, подобрени от технологията 3D V-NAND
Работете по-дълго с компютъра с по-добра енергийна ефективност, подпомогната от 3D V-NAND
850 EVO предлага значително по-дълъг живот на батерията на вашия преносим компютър с контролер, оптимизиран за 3D V-NAND, който сега позволява „заспиване“ на устройството при много ефективната консумация от 2 mW. 850 EVO сега е с 25% по-ефективен по отношение на консумация на енергия от 840 EVO по време на операции за запис* благодарение на 3D V-NAND, като консумира само половината от енергията, в сравнение с Planar 2D NAND. * Захранване (250 ГБ) : 3,2 вата (840 EVO) > 2,4 вата (850 EVO)
Работете по-дълго с компютъра с по-добра енергийна ефективност, подпомогната от 3D V-NAND

Защитете ценните данни посредством съвременно криптиране AES 256

Защитете ценните данни посредством съвременно криптиране AES 256
850 EVO идва подсилен с най-новата хардуерна машина за криптиране на целия диск. Технологията за защита с 256-битово криптиране AES 256 защитава без никакви спадане на производителността и е съвместима със спецификацията TCG Opal 2.0. Тя е съвместима също и с IEEE-1667 за eDrive на Microsoft, така че вашите данни са защитени през цялото време за ваше спокойствие.

Защита срещу прегряване с бързо реагираща динамична топлинна защита Dynamic Thermal Guard

Защита срещу прегряване с бързо реагираща динамична топлинна защита Dynamic Thermal Guard
Dynamic Thermal Guard на 850 EVO постоянно наблюдава и поддържа идеални температури за устройството, за да работи в оптимални условия за целостта на вашите данни. Когато температурите се повишат над оптималния праг, Thermal Guard автоматично сваля температурите като защита за данните ви и в същото време запазва способността за реакция, за да гарантира, че компютърът ви винаги е защитен от прегряване.

Преминаване на по-високо ниво с 850 EVO без никакво суетене

Преминаване на по-високо ниво с 850 EVO без никакво суетене
С три лесни стъпки софтуерът One-stop Install Navigator на Samsung ви позволява да преместите всичките си данни и приложение от съществуващото първично място за съхранение към 850 EVO. Софтуерът Magician на Samsung също така ви позволява да оптимизирате и управлявате системата си по най-подходящия за вашия SSD диск начин.

Добиване на интегрирано вътрешно решение, съставено от най-висококачествените компоненти

Добиване на интегрирано вътрешно решение, съставено от най-висококачествените компоненти
Samsung е единствената марка за SSD дискове, която сама проектира и произвежда всичките си компоненти, което позволява напълно оптимизирана интеграция. Резултатът е подобрена производителност, по-ниска консумация на енергия с до 1 ГБ кеш памет LPDDR2 DRAM и подобрена енергийна ефективност с контролера MEX / MGX.

ТЕХНИЧЕСКИ ХАРАКТЕРИСТИКИ

Размери на MZ-75E120RW

Общи характеристики

  • Приложение

    Клиентски компютри

  • Капацитет

    120 ГБ (1 ГБ = 1 милиард бита по IDEMA) * Реално използваемият капацитет може да е по-нисък (поради форматиране, разделяне на дялове, операционна система, приложения или други)

  • Тип Форма

    2,5 инча фактор на формиране (физически размер)

  • Интерфейс

    SATA 6 Gb/s интерфейс, съвместим със SATA 3 Gb/s и SATA 1,5 Gb/s интерфейс

  • Размери (ШxВxД)

    Размери 100 x 69,85 x 6,8 (мм)

  • Тегло

    Тегло макс. 41 г

  • Storage Memory

    32-слойна 3D V-NAND на Samsung

  • Controller

    Контролер MGX на Samsung

  • Cache Memory

    256 МБ DDR3 SDRAM на Samsung с ниска консумация

Специална функция

  • TRIM Support

    Поддържа TRIM

  • S.M.A.R.T Support

    Поддържа S.M.A.R.T

  • GC (Garbage Collection)

    Алгоритъм за автоматично събиране на отпадъците

  • Encryption Support

    AES 256-битово криптиране (клас 0), TCG/Opal, IEEE1667 (криптирано устройство)

  • WWN Support

    Поддържа World Wide Name

  • Device Sleep Mode Support

    Да

ПОКАЗВАНЕ НА ОЩЕ СПЕЦИФИКАЦИИРазширяване

Ефективност

  • Sequential Read

    Скорост на последователно четене до 540 MБ/сек * Производителността може да варира според системния хардуер и конфигурацията

  • Sequential Write

    Скорост на последователен запис до 520 MБ/сек * Производителността може да варира според системния хардуер и конфигурацията

  • Random Read (4KB, QD32)

    Скорост на произволно четене до 94.000 IOPS * Производителността може да варира според системния хардуер и конфигурацията

  • Random Write (4KB, QD32)

    Скорост на произволен запис до 88.000 IOPS * Производителността може да варира според системния хардуер и конфигурацията

  • Random Read (4KB, QD1)

    Скорост на произволно четене до 10.000 IOPS * Производителността може да варира според системния хардуер и конфигурацията

  • Random Write (4KB, QD1)

    Скорост на произволен запис до 40.000 IOPS * Производителността може да варира според системния хардуер и конфигурацията

Среда

  • Средна консумация на енергия (системно ниво)

    * Средно: 2,1 вата * Максимум: 2,4 вата (режим с интервали) * Действителната консумация на енергия може да варира според системния хардуер и конфигурацията

  • Power consumption (Idle)

    Макс. 50 миливата * Действителната консумация на енергия може да варира според системния хардуер и конфигурацията

  • Allowable Voltage

    Допустимо напрежение 5 V ± 5%

  • Reliability (MTBF)

    1,5 милиона часа надеждност (MTBF)

  • Работна температура

    Работна температура 0 - 70 °C

  • Shock

    1.500 G и 0,5 ms (полусинусоида)

Аксесоари

  • Installation Kit

    Конектор SATA към USB 3.0 и разделител

Софтуер

  • Management SW

    Софтуер Magician за управление на SSD диск

Гаранция

  • Гаранция

    5-годишна ограничена гаранция или 75 TBW ограничена гаранция

  • NEWEST
  • MOST HELPFUL
  • HIGHEST RATING
  • LOWEST RATING