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  • V-NAND Technology

    V-NAND Technology 革新的な垂直アーキテクチャ スタックを使用。

V-NAND Technology

概要

容量とパフォーマンスを新たなレベルへ引き上げる

Samsung V-NANDテクノロジーは、画期的な垂直設計により、従来のNANDテクノロジーが抱えていた大容量化の制約を克服しました。
また、V-NANDはCTF(Charge Trap Flash)テクノロジーを応用して、セル間の干渉によるデータの破損を防ぎます。
構造および材質の革新による相乗効果は、速度、電力効率、耐久性の向上をもたらします。
Vertical expansion breaks through horizontal limit.
垂直方向への拡張は平面型NANDの限界を打ち破る
Samsungは平面構造のNANDを垂直構造に変えることで、ストレージ業界に革命をもたらしました。Samsung V-NANDテクノロジーの特徴は、セルのピッチサイズをただ小さくするのではなく、48個の層をそれぞれ重ねた独自のデザインにあります。Samsungは、積層されたセルに円筒形チャネルを貫通させるCHT(Channel Hole Technology)という技術により、セル同士を垂直に接続できるようにしました。
Material innovation that no one can match.
他社の追随を許さない材質イノベーション

Samsungは、NANDに使われていた材質のパラダイム シフトを実現しました。Samsungでは、窒化ケイ素 (SiN)の非導電層を使用する革新的なCTFテクノロジーを応用して、電荷を一時的に閉じ込めることで、セルの完全性を保つことに成功しました。

この非導電層はセルの制御ゲートを包み込むことで、絶縁体として機能するため、電荷が保持され、セル間の干渉によるデータの破損を防ぐことができます。

Vertical architecture paves the way for amplified capacity.
垂直構造は容量拡大への道を開く

セルを垂直方向に立体化して積み重ねることで、チップ容量が大幅に増加します。Samsung V-NANDテクノロジーによって、容量が大幅に増加することで、作業負荷の高いユーザーやデータセンターは、より多くのデータを処理できるようになります。

Samsung V-NANDでは、今後、最大100層までセルを積層させる計画があり、チップ容量を最大1テラビットまで拡張することができます。平面構造の2D NANDの最大容量は、V-NANDの最小容量にようやく届く程度です。

Innovative algorithms equal faster performance
革新的なアルゴリズムによってパフォーマンスの向上を実現

従来の平面構造のNANDメモリーの場合、セル間の干渉によるデータの破損を防ぐためには、一連の複雑なプログラム アルゴリズムを作り上げる必要があります。 これに対し、Samsung V-NANDは垂直構造であるため、セル間の干渉による影響を受けにくい構造です。

V-NANDの場合、データの書き込みに複雑なプログラム アルゴリズムは必要なく、メモリーは従来の平面構造の2D NANDフラッシュメモリーに比べ、最大で2倍の速度でデータを書き込むことができます。

Unprecedented power efficiency
かつてないほどの電力効率
V-NANDテクノロジーでは、セル間の干渉による問題が解消されたことで、プログラミングの工数が大幅に減ります。その結果、平面構造のNANDメモリーと比較して、電力消費が最大で45% 削減されます。
Embedded high endurance to store your valuable data
重要なデータを保存するための優れた耐久性
Samsung V-NANDは、平面構造のNANDより最大2倍の耐久性を備えています。 V-NANDのセル間距離を多く確保できているため、電界の与える影響を低減でき、CTFベースの絶縁体を採用することでセル間の干渉リスクが解消され、優れた保持性能が実現されます。

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Samsung SSD and V-NAND Technology

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