Vice-président

Dr Oh-Hyun Kwon

Directeur général et vice-président du conseil d'administration
de Samsung Electronics, responsable de l'activité Device Solutions
Depuis qu'il a rejoint la division semi-conducteurs de Samsung Electronics, en 1985, Dr Kwon a fortement contribué à la progression de l'entreprise sur le marché des semi-conducteurs.

Le conseil d'administration a nommé le Dr Oh-Hyun Kwon Directeur général de Samsung Electronics, le 8 juin 2012.

Directeur général de Samsung Electronics, il continue de diriger la division Device Solutions de l'entreprise, qui comprend trois activités : les mémoires, System LSI et les LED.

Depuis qu'il a rejoint la division semi-conducteurs de Samsung Electronics, en 1985, le Dr Kwon a largement contribué à la progression de l'entreprise sur le marché des semi-conducteurs. Il a mené avec succès le développement de la première mémoire DRAM 64 Mo, en 1992. Trois ans plus tard, il a été promu au poste de vice-président de l'entité Memory Device Technology de Samsung, puis, en 1998, vice-président senior et dirigeant de l'activité ASIC de la division LSI System. En 2000, Dr Kwon devient vice-président exécutif et directeur de LSI Technology. En janvier 2004, il est nommé Président-directeur général de la division System LSI. Au cours des 10 années pendant lesquelles il a dirigé cette division, Oh-Hyun Kwon a positionné l'entreprise parmi les tout premiers acteurs mondiaux sur le marché des circuits intégrés pour l'affichage, des processeurs d'application et des capteurs d'image CMOS. Nommé Président de l'activité semi-conducteurs, aujourd'hui baptisée Device Solutions, en mai 2008, Dr Kwon a été promu vice-président de Samsung Electronics en décembre 2011.

Dr Kwon a présenté de nombreux articles lors de conférences parmi lesquelles ISSCC, VLSI Symposium et IEDM. Il a également apporté son expertise sur les semi-conducteurs à plusieurs publications spécialisées.

Oh-Hyun Kwon est titulaire d’une licence en génie électrique de l’Université nationale de Séoul, d’une maîtrise en génie électrique du KAIST (Korea Advanced Institute of Science and Technology) et d’un doctorat en génie électrique de l’université de Stanford.