À propos de Samsung

Améliorer le quotidien grâce à des produits de mémoire de pointe, respectueux de l’environnement et présentant les meilleures performances de leur catégorie

À la tête du marché mondial des produits de mémoire depuis 1993, nous avons développé des produits exceptionnels en anticipant les demandes futures, contribuant ainsi à la croissance du marché informatique mondial.

En 2019, nous avons développé la première DRAM de troisième génération en 10 nanomètres du secteur ainsi que la première V-NAND de sixième génération avec une conception à pile unique de plus de 100 couches, dépassant ainsi les limites précédentes des technologies de mémoire.

Cette année, nous avons commencé à fournir la solution de mémoire la plus performante du secteur (HBM2E 16 Go), à même d’améliorer considérablement les performances des superordinateurs et des systèmes d’analyse de l’intelligence artificielle. Nous avons également été les premiers du secteur à fabriquer en série la DRAM mobile la plus rapide et de plus grande capacité (LPDDR5 16 Go), optimisée pour les smartphones phares à ultra-haute résolution et à grand écran, en plus de la mémoire mobile (eUFS 3.1 512 Go) dont la vitesse d’écriture est trois fois supérieure à celle de la précédente mémoire eUFS 3.0 de 512 Go. En outre, nous développons continuellement le marché des produits de mémoire haut de gamme avec des produits tels que la SSD NVMe de 30,72 To, ouvrant un nouveau paradigme de SSD avec des innovations logicielles ; la Z-SSD de deuxième génération de 3,84 To pour les systèmes de supercalculateurs de nouvelle génération ; et la SSD à quatre bits qui révolutionne le marché des SSD à trois bits avec une fiabilité et des performances améliorées.

Le marché des semi-conducteurs de mémoire est voué à évoluer rapidement avec l’arrivée des interfaces nouvelle génération. Grâce au développement anticipé de conceptions et de technologies de processus avancées, nous entendons continuer à renforcer notre leadership sur le marché mondial de la mémoire.