9100 PRO PCIe 5.0 NVMe M.2 固態硬碟 2TB (含散熱片)
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功能特色
三大特色
PCIe® 5.0 突破極速效能
開啟 Gen 5 時代,釋放極速潛能,9100 PRO 以高達 14,800/13,400 MB/s 的連續讀寫速度以及高達 2,200K/2,600K IOPS 的隨機讀寫速度,引領 PCIe® 5.0 x4 新趨勢。
*測試基於 Intelligent Turbo Write 技術,實際效能可能因 SSD 韌體、系統硬體與配置等因素而有所不同。
*請確認你的系統是否支援 PCIe® 5.0,詳情請查閱 Intel 或 AMD 官方網站。
多工時代 效率飛躍
突破生產力極限,極速處理每一項任務! 高達 2,200K/2,600K IOPS 的隨機讀寫速度,帶來超快並行運算能力,輕鬆應對海量碎片化數據。無論是大型遊戲、高效能工作負載,甚至是 AI 應用,都能即刻啟動、順暢運行,讓你的創造力無限綻放。
AI 創作 一氣呵成
AI 定義的極限效能。9100 PRO 以高達 2,200K/2,600K IOPS 的隨機讀寫速度,促使 AI PC 運算與 AI 內容生成的高度流暢,隨意切換於專業工作和遊戲娛樂之間,讓你的創意與效率同步馳騁!
* 性能可能會因為固態硬碟的韌體、系統硬體與配置以及其他因素而有所不同。
瞬間制霸 暢玩無限
透過 9100 PRO (含散熱片),無論在 PC、筆電 或 PlayStation® 5,都能釋放極致效能。憑藉最新 PCIe® 5.0 技術,體驗超越想像的遊戲速度與流暢度。裝備最強競技武器,擊潰對手,即刻稱霸戰場!
如需了解 PlayStation® 5 M.2 SSD 安裝規格,請參閱:https://www.playstation.com/support/hardware/ps5-install-m2-ssd/
卓越散熱解決方案
搭載先進 5nm 控制器電源架構,和 990 PRO相比,電源效率提升高達 49%,無論多麼嚴苛的應用,穩定散熱技術確保系統流暢運行,讓 PCIe® 5.0 的強大效能全面發揮!
*圖片僅供參考,請以實際產品為主。
*根據內部測試(2TB 版本):990 PRO 連續讀寫 1,221/1,255 MB/s per Watt,9100 PRO 達 1,822/1,703 MB/s per Watt。
極致輕薄 完美適配
9100 PRO (含散熱片) 採用超薄 8.8mmT M.2外型設計,完美相容 PlayStation® 5、PC 及筆電,符合 PCI-SIG® D8 規範。輕鬆突破空間限制,打造最靈活高效的極致效能系統。
*1/2/4TB (8.8mmT,含散熱片) 適用於筆記型電腦、個人電腦、PlayStation® 5。
*8TB (11.25mmT,含散熱片) 適用於 PlayStation® 5。
*有關PlayStation® 5 M.2 SSD 需求詳情,請參考 官方支援頁面 https://www.playstation.com/support/hardware/ps5-install-m2-ssd/
*圖片僅供參考,實際使用環境可能有所不同。
勝利盡收 永不妥協
9100 PRO (含散熱片) 以高達 8TB 的超大容量,擺脫容量限制、解鎖巨量遊戲空間! 自由擴充你的遊戲庫,永久珍藏每一款遊戲大作。
*供應情況可能因市場與時間而異。
三星魔術師軟體
讓固態硬碟發揮如魔術般的效能。三星管理魔術師軟體的最佳化工具可以確保固態硬碟效能充分發揮。讓您在升級三星固態硬碟時能安全且輕鬆地搬移所有資料,確保您的寶貴數據得到充分保護,同時監控硬碟健康度及進行韌體更新。
* 詳細資訊請參閱:https://semiconductor.samsung.com/consumer-storage/magician/
* 詳細資訊請參閱:https://semiconductor.samsung.com/consumer-storage/magician/
創新點亮生活
數十年來,三星不斷追求應用突破性技術,為 NAND 快閃記憶體的更新迭代提供動力。這些技術改變了我們日常生活的方方面面。也為我們的記憶卡提供了支援,為下一次重大創新創造空間。
產品規格
-
應用
個人電腦、遊戲主機等
-
容量
2,000GB (1GB=1,000,000,000 bytes)
* 一部分容量用於系統文件和維護用途,實際容量可能與產品標示不同
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應用
個人電腦、遊戲主機等
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容量
2,000GB (1GB=1,000,000,000 bytes)
* 一部分容量用於系統文件和維護用途,實際容量可能與產品標示不同 -
類型
M.2 (2280)
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介面
PCIe® 5.0 x4, NVMe™ 2.0
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實體規格 ( 寬 X 長 X 高 )
約 80.15 x 25 x 8.88mm (含散熱片)
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重量
約 30.0g
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Storage Memory
Samsung V-NAND TLC
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控制晶片
三星內部控制器
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快取記憶體
Samsung 2GB Low Power DDR4X SDRAM
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TRIM Support
TRIM 支援
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S.M.A.R.T Support
S.M.A.R.T 支援
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垃圾回收
垃圾自動回收演算法
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資料加密
AES 256-bit Encryption (Class 0)TCG/Opal IEEE1667 (加密驅動器)
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全球通用名稱 (World Wide Name)
不支援
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睡眠模式
支援
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連續讀取速度
最高 14,700 MB/s
* 效能可能因系統硬體配置而異 -
連續寫入速度
最高 13,400 MB/s
* 效能可能因系統硬體配置而異 -
隨機讀取速度
最高 1,850,000 IOPS
* 效能可能因系統硬體配置而異 -
隨機寫入速度
最高 2,600,000 IOPS
* 效能可能因系統硬體配置而異
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平均功率消耗
平均: 讀 8.1 W / 寫 7.9 W
* 實際功率消耗可能因系統硬體配置而異 -
功率消耗 (閒置模式)
一般 4.8 mW
* 實際功率消耗可能因系統硬體配置而異 -
功率消耗 (睡眠模式)
一般 4 mW
* 實際功率消耗可能因系統硬體配置而異 -
允許電壓
3.3 V ± 5 %
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可靠性 (MTBF)
1.5 百萬小時
* MTBF:平均故障間隔 (平均連續無故障時間) -
作業溫度
0 - 70 ℃
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抗震
1,500 G & 0.5 ms (Half sine)
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管理軟體
管理魔術師軟體
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