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SSD 850 EVO SATA III mSATA 1 To

MZ-M5E1T0BW
  • bvseo_sdk, java_sdk, bvseo-4.0.0
  • CLOUD, getAggregateRating, 246ms
  • REVIEWS, PRODUCT
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  • Technologie Samsung V-NAND
  • Jusqu’à 540MB/s de lecture séquentielle et 520MB/s d’écriture séquentielle
  • mSATA pour les ordinateurs portables et PC ultra fins

    Mémoire

    OFFRE

    Interface SATA 6 Gb/s, compatible avec l'interface SATA 3 Gb/s & SATA 1.5 Gb/s

    Interface

    Jusqu'à 540 Mo/sec

    Lecture séquentielle

    Jusqu'à 520 Mo/sec

    Ecriture séquentielle

    Garantit 5 ans ou 150 TBW

    Garantie

    Qu'est ce que la 3D V-NAND et en quoi diffère t-elle des technologies existantes ?

    L'architecture unique et innovantes de la mémoire flash 3D V-NAND de Samsung est une avancée technologique permettant de dépasser les limites de densité, les performances et l'endurance de l'architecture NAND plane traditionnelle. La 3D V-NAND empile 32 couches de cellules verticalement au lieu de réduire la taille des cellules et de s'inscrire dans un espace horizontal fixe. Par conséquent, cette technologie permet d'augmenter la densité ainsi que les performances, le tout avec une surface réduite.

    Qu'est ce que la 3D V-NAND et en quoi diffère t-elle des technologies existantes ?

    Optimisez votre expérience informatique à l'aide de la technologie TurboWrite qui offre des vitesses de lecture / écriture sans précédent

    Grâce à la technologie TurboWrite de Samsung, vous obtenez des performances optimales en matière de lecture et d'écriture et par conséquent, vous maximisez votre utilisation informatique au quotidien. Par rapport au 840 EVO, le 850 EVO enregistre une expérience utilisateur globale supérieure d'environ 13%, notamment grâce à ses vitesses d'écriture aléatoires désormais 2 fois plus rapides**. Le 850 EVO offre les meilleures performances dans sa catégorie avec des vitesses de lecture et d'écriture s'élevant respectivement à 540 Mo/s et 520 Mo/s. Profitez de performances aléatoires optimisées pour toutes les profondeurs de file d'attente en cas d'utilisation d'un PC client. *PCMark 7 (250 Go): 6700 (840 EVO) < 7600 (850 EVO) ** Écriture aléatoire (profondeur de file d'attente: 32, 120 Go): 36 000 IOPS (840 EVO) < 88 000 IOPS (850 EVO)

    Optimisez votre expérience informatique à l'aide de la technologie TurboWrite qui offre des vitesses de lecture / écriture sans précédent

    Augmentez votre mémoire de stockage avec le RAPID Mode

    Le Samsung 850 EVO mSATA est une machine trés rapide. Avec le dernier logiciel Samsung Magician, vous pouvez activer le RAPID Mode pour exploiter la mémoire du PC (DRAM) inutilisée et utiliser jusqu'à 25% de la capacité totale de la DRAM comme mémoire cache. Avec cette augmentation considérable de la mémoire, les vitesses de traitement des données et les files d'attente aléatoires peuvent être 2 fois plus rapides* en RAPID Mode.

    Augmentez votre mémoire de stockage avec le RAPID Mode

    * PCMARK7 RAW (250GB): 7500 < 15 000 (RAPID mode)

    Endurance et fiabilité renforcées par la technologie 3D V-NAND

    Avec deux fois plus de Total Bytes Written (TBW) comparé à la génération précédente du 840 EVO*, le 850 EVO offre une endurance et une fiabilité assurées ainsi qu'une garantie de 5 ans, la plus élevée dans ce secteur. Grâce à l'amélioration jusqu'à 30% de ses performances, le 850 EVO offre des performances continues**, ce qui en fait l'une des solutions de stockage les plus fiables. * TBW: 43 (840 EVO) < 75 (850 EVO 120 / 250 Go), 150 (850 EVO 500 / 1 To) ** Performances soutenues (250 Go): 3300 IOPS (840 EVO) < 6500 IOPS (850 EVO), performances mesurées après un test d'« Écriture aléatoire » de 12 heures

    Endurance et fiabilité renforcées par la technologie 3D V-NAND

    Faible consommation d'énergie renforcée par la 3D V-NAND

    Le 840 EVO a introduit la fonction Device Sleep pour une consommation de 2 mW. A présent, le 850 EVO introduit la technologie 3D V-NAND de pointe (consommant 50% d'énergie en moins que la Planar NAND 2D) qui vous permet de réduire de 25% votre consommation d'énergie durant les opérations d'écriture*.

    Faible consommation d'énergie renforcée par la 3D V-NAND

    * Power (250GB): 3.2 Watt (840 EVO) > 2.4 Watt (850 EVO)

    Facteur de forme flexible pour une utilisation sur différents types d'appareils

    La polyvalence du 850 EVO mSATA vous permet de couvrir tout type de connecteur ou de taille de port pris en charge par votre appareil, ce qui le rend parfait pour les ordinateurs et ordinateurs portables d'aujourd'hui, et en particulier, sur les tablettes PC ultra-fines à espace restreint.

    Facteur de forme flexible pour une utilisation sur différents types d'appareils

    Protégez vos données avec des méthodes de cryptage avancées

    Le 850 EVO est renforcé avec le dernier moteur de chiffrement matériel intégral du disque. Les cryptages AES 256 bits et TCG Opal 2.0 protègent vos données sans dégrader les performances. Le 850 EVO est également compatible avec le protocole Microsoft eDrive IEEE-1667 pour une protection permanente de vos données.

    Protégez vos données avec des méthodes de cryptage avancées

    Protection contre toute surchauffe grâce à la fonction Dynamic Thermal Guard

    La fonction Dynamic Thermal Guard du 850 EVO surveille et maintient en permanence et automatiquement la température idéale du disque afin qu'il fonctionne dans des conditions optimales.

    Protection contre toute surchauffe grâce à la fonction Dynamic Thermal Guard

    Gestion simple et rapide des migrations

    Grâce à One-Stop Install Navigator, les logiciels Samsung Data Migration et Magician sont installés simultanément pour plus de facilité. Cela permet d'assurer l'optimisation des paramètre de votre SSD pour un transfert efficace de vos données.

    Gestion simple et rapide des migrations

    Profitez d'une solution d'intégration en interne comprenant des composants haut de gamme

    En tant que chef de file dans les SSD, Samsung est le meux placé pour concevoir, développer et fabriquer exclusivement en interne. Cela entraîne des solutions entièrement intégrées et pleinement optimisées pour des performances accrues. Cela élimine également le risque d'erreurs de compatibilité des composants.

    Profitez d'une solution d'intégration en interne comprenant des composants haut de gamme
    • Interface SATA 6 Gb/s, compatible avec l'interface SATA 3 Gb/s & SATA 1.5 Gb/s Interface
    • Jusqu'à 540 Mo/sec Lecture séquentielle
    • Jusqu'à 520 Mo/sec Ecriture séquentielle
    • Garantit 5 ans ou 150 TBW Garantie
    • Utilisateurs PC Utilisation
    • Max. 8.5 g Poids
    • (29.85 ± 0.15) x (50.8 ± 0.15) x Max 3.85 (mm) Dimensions
    • bvseo_sdk, java_sdk, bvseo-4.0.0
    • CLOUD, getReviews, 2ms
    • REVIEWS, PRODUCT
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    Faut-il que je défragmente mon disque SSD ?

    Faut-il que je défragmente mon disque SSD ?afficher la réponse

    La récupération des données de mon SSD est-elle couverte par la garantie ?

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    SSD 970 EVO Plus 1 To
    MZ-V7S1T0BW
    • Technologie NVMe
    • Pour des tâches lourdes avec d'importants calculs de data
    • Dynamic Thermal Guard
    • Multiple capacités disponible
    SSD 860 QVO 4 To
    MZ-76Q4T0BW
    • Technologie V-NAND 3D
    • 1 To | 2 To | 4 To
    • SATA III (6 Gbit/s)
    • Garantie 3 ans
    SSD 970 PRO NVMe M.2 1 To
    MZ-V7P1T0BW
    • Technologie Samsung V-NAND
    • Jusqu'à 3500 Mo/s de lecture séquentielle et 2700 Mo/s d'écriture séquentielle
    • Garantie limitée de 5 ans
    SSD 970 EVO NVMe M.2 2 To
    MZ-V7E2T0BW
    • Technologie Samsung V-NAND
    • Jusqu'à 3500 Mo/s de lecture séquentielle et 2500 Mo/s d'écriture séquentielle
    • Garantie limitée de 5 ans
    SSD 860 EVO SATA III mSATA 1 To
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    • Technologie V-NAND 3D
    • 250 Go | 500 Go | 1 To
    • Jusqu’à 550Mo/s de lecture séquentielle et 520Mo/s d’écriture séquentielle
    • Pour les ordinateurs portables et PC ultra fins
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    • Technologie Samsung V-NAND
    • Jusqu’à 540MB/s de lecture séquentielle et 520MB/s d’écriture séquentielle
    • mSATA pour les ordinateurs portables et PC ultra fins
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    • 250 Go | 500 Go | 1 To
    • Jusqu’à 550Mo/s de lecture séquentielle et 520Mo/s d’écriture séquentielle
    • Pour les ordinateurs portables et PC ultra fins
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    • Jusqu'à 3500 Mo/s de lecture séquentielle et 2500 Mo/s d'écriture séquentielle
    • Garantie limitée de 5 ans
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    • Technologie Samsung V-NAND
    • Jusqu'à 3500 Mo/s de lecture séquentielle et 2700 Mo/s d'écriture séquentielle
    • Garantie limitée de 5 ans
    SSD 860 QVO 4 To
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    • Technologie V-NAND 3D
    • 1 To | 2 To | 4 To
    • SATA III (6 Gbit/s)
    • Garantie 3 ans
    SSD 970 EVO Plus 1 To
    MZ-V7S1T0BW
    • Technologie NVMe
    • Pour des tâches lourdes avec d'importants calculs de data
    • Dynamic Thermal Guard
    • Multiple capacités disponible
    SSD 850 EVO SATA III mSATA 1 To MZ-M5E1T0BW
    • Technologie Samsung V-NAND
    • Jusqu’à 540MB/s de lecture séquentielle et 520MB/s d’écriture séquentielle
    • mSATA pour les ordinateurs portables et PC ultra fins
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    • Technologie NVMe
    • Pour des tâches lourdes avec d'importants calculs de data
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    • Multiple capacités disponible
    SSD 860 QVO 4 To
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    • Technologie V-NAND 3D
    • 1 To | 2 To | 4 To
    • SATA III (6 Gbit/s)
    • Garantie 3 ans
    SSD 970 PRO NVMe M.2 1 To
    MZ-V7P1T0BW
    • Technologie Samsung V-NAND
    • Jusqu'à 3500 Mo/s de lecture séquentielle et 2700 Mo/s d'écriture séquentielle
    • Garantie limitée de 5 ans
    SSD 970 EVO NVMe M.2 2 To
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    • Technologie Samsung V-NAND
    • Jusqu'à 3500 Mo/s de lecture séquentielle et 2500 Mo/s d'écriture séquentielle
    • Garantie limitée de 5 ans
    SSD 860 EVO SATA III mSATA 1 To
    MZ-M6E1T0BW
    • Technologie V-NAND 3D
    • 250 Go | 500 Go | 1 To
    • Jusqu’à 550Mo/s de lecture séquentielle et 520Mo/s d’écriture séquentielle
    • Pour les ordinateurs portables et PC ultra fins

    Les images sont uniquement utilisées à titre d’illustration et les accessoires sont vendus séparément. Les fonctionnalités et les spécifications présentées correspondent à celles disponibles au lancement commercial du produit mais peuvent être sujettes à des modifications sans notification au préalable.

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