Über uns

Nutze topaktuelle Speicherlösungen mit Spitzenleistungen.

Seit 1993 nehmen wir eine führende Position auf dem globalen Markt für Halbleiter im Speicherbereich ein und tragen zum Gesamtwachstum des globalen IT-Marktes bei.

2019 haben wir den branchenweit ersten DRAM der dritten Generation der 10-Nanometer-Klasse und V-NAND der sechsten Generation mit einem 100+-Layer-Single-Stack-Design entwickelt und damit die bisherigen Grenzen der Speichertechnologien durchbrochen.

In diesem Jahr haben wir mit der Lieferung des branchenweit leistungsstärksten Speichers (16-GB-HBM2E) begonnen, der die Leistung von Supercomputern und KI-Analysesystemen verbessern kann. Wir waren auch die Ersten in der Branche, die den schnellsten mobilen DRAM mit der größten Kapazität (16-GB-LPDDR5) in Massenproduktion hergestellt haben, der für Smartphones mit hoher Auflösung und großen Bildschirmen geeignet ist, sowie mobilen Speicher (512-GB-eUFS 3.1) mit der dreifachen Schreibgeschwindigkeit des vorherigen 512-GB-eUFS-3.0-Speichers. Darüber hinaus erweitern wir kontinuierlich den Speichermarkt mit Produkten wie der 30,72 TB NVMe-SSD, einer 3,84 TB Z-SSD der zweiten Generation für Supercomputing-Systeme und einer Vier-Bit-SSD, die den Änderungen des Drei-Bit-SSD-Markt mit sich bringt. Zuverlässigkeit und Leistung transformiert.

Es wird erwartet, dass sich der Markt für Speicher-Halbleiter mit der Einführung der nächsten Generation von Schnittstellen schnell verändern wird. Durch die frühzeitige Entwicklung fortschrittlicher Prozessdesigns und -technologien wollen wir unsere Position auf dem globalen Speichermarkt weiter ausbauen.